《日本的胶，中国的土，逆向工程的euv》 这几天，关于中国的曼哈顿计划 — 逆向工程asml的光刻机，讨论热度不小。大家也很兴奋，毕竟是一个重大突破。 但如果从工程技术角度，摒除意识形态，仔细扒一扒，就会发现，事实和理想还有差距，而且不小。 因为如果把问题真正拆到工程层面，会发现决定一条技术路线能不能长期跑下去的，往往不是最热的媒体热点，而是一些看起来不起眼的细节。 本文暂不讨论逆向光刻机的进展等细节，仅讨论一下最近另外一条不那么起眼的新闻：日本对华（限）断供光刻胶 在先进制程中，光刻胶决定的是工艺窗口有多宽、随机缺陷能不能被压住、良率的尾部会不会失控。 换句话说，有euv，但没有光刻胶，也无法让先进制程的良率上去，没有良率，成本就下不了，成本下不来，就没有订单，至少没有国际订单。 这也是为什么，卡光刻胶往往比卡设备更隐蔽，但在工程上更致命。 没有多少民科了解日本光刻胶的难度，习惯性的认为只是一个光刻过程中的耗材。但现实要复杂的多。 日本高端光刻胶非常难以复刻，因为这不仅关系到某些化学结构，更重要的是取决于整套生产与控制过程，线性的，无法快速迭代的，生产与控制过程。 从超高纯原料控制、聚合反应路径选择、分子量分布管理，到杂质统计、批次一致性、长期老化行为，这是一套高度工程化、长期演化的体系。 它是靠几十年的失败样本慢慢堆出来的。 累积成大量的专利，但更重要的是，很多关键判断，写不进论文，也很难完整写进专利。 它们存在于工程师对“这批料能不能上产线”的直觉里，存在于生产线对异常的经验判断中，存在于企业数十年的工艺参数和失败数据中，存在于对流程和控制日积月累的改善当中。 这就是“日本的胶”的真正含义。 不是一瓶产品，而是一整套长期运行的材料工业能力。 中国在这方面有一个非常有意思、但经常被忽略的参照： 重稀土的提炼处理能力。 这其中，真正难以复制的，不是资源本身，而是把复杂矿物分离、提纯、稳定到工程可用状态的工艺体系。 这是经过千万次失败反复试错的过程，中间要消耗大量资源，产生大量污染。 欧美并不是没有稀土资源，但真正难的是把“土”变成可规模、可控、可长期供应的工业材料。 那同样是一套高度工程化、长期积累的能力。 这也是为什么，中国的“稀土”能用来卡欧美的脖子。 更有意思的是，日本光刻胶的主要供应商之一，信越化学，同时也是欧美日为数不多的有重稀土提炼能力的生产商。（信越化学为什么既能做光刻胶，又能做稀土，我们下次另文详述） 同样的，日本的光刻胶，一样能卡住中国的脖子。 因为日本光刻胶断供，影响的是稳定性和良率。 而日本的光刻胶，在euv光刻机量产上，是绝对的垄断，也就是说，光有euv，如果没有日本光刻胶，还是生产不出5nm及以下的芯片。 就算在目前中国的 7nm的生产过程中，尽管并不是使用EUV，而是 193nm ArF DUV 加多重曝光，但仍在良率上受限于日本的高端光刻胶： 非关键层，国产胶已经可以稳定使用； 次关键层，可以国产与进口混用； 真正决定成败的关键层，仍然高度依赖日本的高端 ArF 光刻胶。 因为多重曝光会把任何微小的不稳定放大。 一旦高端光刻胶断供，7nm本已经不高的良率，将进一步下降，成本将进一步升高。 为什么EUV更离不开日本光刻胶？因为只有成熟的光刻胶才能压制光子统计噪声和随机缺陷。 7nm 关键层真正实现可控的国产替代，仍可能需多个研发周期，更不用说5nm 所需的 EUV 光刻胶。 其中一个研发周期，一般耗时3-5年，因为其必须至少包含 5 个几乎无法并行的很花时间的阶段： 基础配方探索 实验室 → 中试放大 设备联调（Scanner + Track） 产线验证（Wafer 级） 长期稳定性验证 设备的零件也许是显性的，但材料和工艺是隐性的；机器可以被拆解、被复刻，但材料和工业所需的时间，无法被逆向工程压缩。 日本的光刻胶，和中国的重稀土一样，都是那种只有在产线上、在良率曲线的尾部、在连续多年不出事故的稳定运行中，才能真正显现价值的能力。 如果说逆向 EUV也许能“把门打开”，那光刻胶决定的，是能不能在这条路上走得久。 而半导体这件事，最残酷的一点在于—— 一次成功没有意义，只有连续数年的时间不出问题，才算成功。 而时间，即使在ai时代，也是唯一无法被逆向工程的东西。