《日本的膠，中國的土，逆向工程的euv》 這幾天，關於中國的曼哈頓計劃 — 逆向工程asml的光刻機，討論熱度不小。大家也很興奮，畢竟是一個重大突破。 但如果從工程技術角度，摒除意識形態，仔細扒一扒，就會發現，事實和理想還有差距，而且不小。 因為如果把問題真正拆到工程層面，會發現決定一條技術路線能不能長期跑下去的，往往不是最熱的媒體熱點，而是一些看起來不起眼的細節。 本文暫不討論逆向光刻機的進展等細節，僅討論一下最近另外一條不那麼起眼的新聞：日本對華（限）斷供光刻膠 在先進製程中，光刻膠決定的是工藝窗口有多寬、隨機缺陷能不能被壓住、良率的尾部會不會失控。 換句話說，有euv，但沒有光刻膠，也無法讓先進製程的良率上去，沒有良率，成本就下不了，成本下不來，就沒有訂單，至少沒有國際訂單。 這也是為什麼，卡光刻膠往往比卡設備更隱蔽，但在工程上更致命。 沒有多少民科瞭解日本光刻膠的難度，習慣性的認為只是一個光刻過程中的耗材。但現實要複雜的多。 日本高端光刻膠非常難以復刻，因為這不僅關係到某些化學結構，更重要的是取決於整套生產與控制過程，線性的，無法快速迭代的，生產與控制過程。 從超高純原料控制、聚合反應路徑選擇、分子量分佈管理，到雜質統計、批次一致性、長期老化行為，這是一套高度工程化、長期演化的體系。 它是靠幾十年的失敗樣本慢慢堆出來的。 累積成大量的專利，但更重要的是，很多關鍵判斷，寫不進論文，也很難完整寫進專利。 它們存在於工程師對“這批料能不能上產線”的直覺裡，存在於生產線對異常的經驗判斷中，存在於企業數十年的工藝參數和失敗數據中，存在於對流程和控制日積月累的改善當中。 這就是“日本的膠”的真正含義。 不是一瓶產品，而是一整套長期運行的材料工業能力。 中國在這方面有一個非常有意思、但經常被忽略的參照： 重稀土的提煉處理能力。 這其中，真正難以複製的，不是資源本身，而是把複雜礦物分離、提純、穩定到工程可用狀態的工藝體系。 這是經過千萬次失敗反覆試錯的過程，中間要消耗大量資源，產生大量汙染。 歐美並不是沒有稀土資源，但真正難的是把“土”變成可規模、可控、可長期供應的工業材料。 那同樣是一套高度工程化、長期積累的能力。 這也是為什麼，中國的“稀土”能用來卡歐美的脖子。 更有意思的是，日本光刻膠的主要供應商之一，信越化學，同時也是歐美日為數不多的有重稀土提煉能力的生產商。（信越化學為什麼既能做光刻膠，又能做稀土，我們下次另文詳述） 同樣的，日本的光刻膠，一樣能卡住中國的脖子。 因為日本光刻膠斷供，影響的是穩定性和良率。 而日本的光刻膠，在euv光刻機量產上，是絕對的壟斷，也就是說，光有euv，如果沒有日本光刻膠，還是生產不出5nm及以下的芯片。 就算在目前中國的 7nm的生產過程中，儘管並不是使用EUV，而是 193nm ArF DUV 加多重曝光，但仍在良率上受限於日本的高端光刻膠： 非關鍵層，國產膠已經可以穩定使用； 次關鍵層，可以國產與進口混用； 真正決定成敗的關鍵層，仍然高度依賴日本的高端 ArF 光刻膠。 因為多重曝光會把任何微小的不穩定放大。 一旦高端光刻膠斷供，7nm本已經不高的良率，將進一步下降，成本將進一步升高。 為什麼EUV更離不開日本光刻膠？因為只有成熟的光刻膠才能壓制光子統計噪聲和隨機缺陷。 7nm 關鍵層真正實現可控的國產替代，仍可能需多個研發週期，更不用說5nm 所需的 EUV 光刻膠。 其中一個研發週期，一般耗時3-5年，因為其必須至少包含 5 個幾乎無法並行的很花時間的階段： 基礎配方探索 實驗室 → 中試放大 設備聯調（Scanner + Track） 產線驗證（Wafer 級） 長期穩定性驗證 設備的零件也許是顯性的，但材料和工藝是隱性的；機器可以被拆解、被複刻，但材料和工業所需的時間，無法被逆向工程壓縮。 日本的光刻膠，和中國的重稀土一樣，都是那種只有在產線上、在良率曲線的尾部、在連續多年不出事故的穩定運行中，才能真正顯現價值的能力。 如果說逆向 EUV也許能“把門打開”，那光刻膠決定的，是能不能在這條路上走得久。 而半導體這件事，最殘酷的一點在於—— 一次成功沒有意義，只有連續數年的時間不出問題，才算成功。 而時間，即使在ai時代，也是唯一無法被逆向工程的東西。